Đã có phong trào phát triển bộ nhớ không biến đổi với hiệu suất cao hơn bộ nhớ flash từ những năm 1990 Những cái chính bao gồm bộ nhớ sắt điện, bộ nhớ từ trở và bộ nhớ thay đổi pha
Bộ nhớ điện trở từ còn được gọi là MRAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện trở từ) và kể từ năm 2000, ngày càng nhiều nhà sản xuất bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ này Ưu điểm của MRAM là có thể ghi vô số lần và tốc độ đọc của nó thậm chí còn nhanh hơn cả bộ nhớ sắt điện Mặt khác, nhược điểm là giá thành vẫn cao và khó tích hợp nó với các mạch logic (=triển khai vào hệ thống LSI)
